机译:硅(100),(110)和(111)基材残余应力的生长和比较
机译:使用六甲基二硅烷单源前驱体通过APCVD在Si(100)衬底上异质外延生长单3C-SiC薄膜
机译:通过APCVD使用六甲基二硅烷的单源前体对Si(100)基底上的单一3C-SiC薄膜的异质生长
机译:生长速率对(100)Si衬底上3C-SiC膜残余应力的影响
机译:光学干涉测量法在硅基板上的二氧化硅膜中的平面内残余应力。
机译:使用3C-SiC-on-Si在气相生长中生长大面积无应力且类似块状的3C-SiC(100)
机译:si衬底上CVD生长的3C-siC薄膜的残余应力